ELECTRÓNICA
El transistor de efecto de campo de juntura o JFET
Este dispositivo controla el paso de la corriente de surtidor a drenador mediante un campo eléctrico con voltaje negativo colocado entre la compuerta y el surtidor
El transistor de efecto de campo de juntura o JFET
Para entender mejor la explicación del JFET asumimos que estamos usando el JFET de canal N.
El JFET esta construido mediante una barra de silicio tipo N envuelto en un anillo de silicio tipo P.
El anillo de silicio tipo P crea un campo eléctrico el cual va a controlar la corriente de surtidor a drenador.
En la figura anterior se puede observar un voltage de compuerta igual a cero Vgs=0. Por lo tanto se produce una corriente que estará en función del voltaje drenador surtidor VDS. Esta corriente tiene un punto de saturación como se aprecia en la siguiente figura:
Si aumentamos el voltaje inverso VGS a -1.5 Voltios vamos a observar que aumenta el campo eléctrico estrechando el paso de la corriente de surtidor a drenador. Entonces la corriente de surtidor a drenador disminuye y tiene la curva que se aprecia en la figura anterior.
Si seguimos aumentando el voltaje inverso en la compuerta a -4.5 V, entonces el campo eléctrico se estrecha con mas fuerza y disminuye el paso de la corriente de surtidor a drenador.
De lo observado podemos deducir los siguiente:
- El flujo de cargas eléctricas es controlado por el campo eléctrico.
- Es un dispositivo controlado por el voltaje en la compuerta, según el valor que tiene controla la corriente de surtidor a drenador.
- Es un dispositivo unipolar porque circulan en un solo sentido los electrones (canal n) o huecos (canal p).
- Presenta una alta impedancia de entrada comparada con los BJT que tienen una baja impedancia.
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