ELECTRÓNICA

El Mosfet: transistor de efecto de campo metal óxido semiconductor

Ideado en teoría por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1925 pero fue construido en los laboratorios de la Bell en 1960. Es un tipo de transistor que revolucionó la industria electrónica y que es muy usado en los microprocesadores

transistor mosfet

El Mosfet se puede usar como conmutador o amplificador de señales. Tiene una notable eficiencia con respecto al transistor clásico BJT. Esta formado por 3 terminales llamados compuerta (G), surtidor (S) y drenador (D). Cuenta con un material tipo P o N que se le denomina sustrato (color rojo en la figura) y además en la compuerta se le ha colocado metal óxido. Según su material puede ser Mosfet canal N o canal P.

mosfet estructura

En la siguiente figura que representa un mosfet tipo N, se explica su funcionamiento: funcionamiento mosfet

Si Vgs tiene voltaje 0, entonces no hay corriente de surtidor a drenador (Isd) porque sustrato-drenador estan polarizados inversamente. Si se invierte la polaridad de la fuente (V) tampoco hay corriente de surtidor a drenador (Isd) porque surtidor-sustrato estarían polarizados inversamente.

Si aplicamos un voltaje positivo a la compuerta entonces se repelen los huecos en el sustrato que están cercanos al metal óxido y se forma un canal estrecho tipo N entre surtidor y drenador.

Este canal estrecho tipo N permite el paso de la corriente entre el surtidor(tipo N) y drenador(tipo N).

Entonces un pequeño voltaje en la compuerta genera una corriente de surtidor a drenador y el valor de la corriente esta en función del voltaje aplicado.

Comparando con el JFET, este conduce con voltaje cero en la compuerta y tenemos que aplicarle un voltaje negativo para disminuir o bloquear el paso de la corriente de salida.

Mientras que el MOSFET con voltaje cero en la compuerta no hay circulación de corriente en la salida.